xxxxOpis Pspice, Elektronika, PSPICE IZYDORCZYK
[ Pobierz całość w formacie PDF ]
Opis symulacji w programie PSpice
1. Deklarowanie podstawowych elementów pasywnych
1.1 Opornik
Deklaracja opornika:
Rxxxxxxx n+ n- wartość
Przykład:
R1 2 5 1k
RK2 22 33 100
Opis:
Nazwa opornika może zawierać do ośmiu liter i musi zaczynać się od litery „R”.
Mnemoniki „n+” i „n-” są to numery węzłów pomiędzy którymi znajduje się rezystor. W pole
„wartość” wpisujemy wartość rezystancji opornika.
1.2 Kondensator
Deklaracja kondensatora:
Cxxxxxxx n+ n- wartość
Przykład:
C1 2 3 10nF
CE2 23 43 470uF
Nazwa kondensatora może zawierać do ośmiu liter i musi zaczynać się od litery „C”.
Mnemoniki „n+” i „n-” są to numery węzłów pomiędzy którymi znajduje się kondensator.
W pole „wartość” wpisujemy wartość pojemności kondensatora.
1.3 Cewka
Deklaracja cewki:
Lxxxxxxx n+ n- wartość
Przykład:
L1 2 3 10uH
LE2 23 43 470mH
Nazwa cewki może zawierać do ośmiu liter i musi zaczynać się od litery „L”.
Mnemoniki „n+” i „n-” są to numery węzłów pomiędzy którymi znajduje się cewka. W pole
„wartość” wpisujemy wartość indukcyjności cewki.
Opis:
Opis:
2. Deklarowanie podstawowych elementów półprzewodnikowych
Deklarowanie elementów półprzewodnikowych wymaga wcześniejszego opisania
modelu danego elementu. Oznacza to, że możliwe jest stworzenie modelu rzeczywistego, który
można wielokrotnie wykorzystywać w konfiguracji obwodu.
2.1 Dioda półprzewodnikowa
Deklaracja diody:
Dxxxxxxx a k nazwa_m
Przykład:
D1 2 3 dioda1
DE2 23 43 dioda1
Opis:
Nazwa diody może zawierać do ośmiu liter i musi zaczynać się od litery „D”.
Mnemoniki „a” i „k” są to numery węzłów do których podłączone są kolejno: anoda i katoda
diody. W pole „nazwa_m” wpisujemy nazwę modelu diody opisanego poniżej opisu struktury
obwodu lub modelu diody opisanego w oddzielnym pliku.
2.2 Tranzystor bipolarny
Deklaracja tranzystora:
Qxxxxxxx c b e nazwa_m
Przykład:
Q1 2 4 3 BC109b
QE2 23 12 43 BC107
Opis:
Nazwa tranzystora może zawierać do ośmiu liter i musi zaczynać się od litery „Q”.
Mnemoniki „c”, „b” oraz „e” są to numery węzłów do których podłączone są kolejno: kolektor,
baza i emiter tranzystora. W pole „nazwa_m” wpisujemy nazwę modelu tranzystora opisanego
poniżej opisu struktury obwodu lub modelu opisanego w oddzielnym pliku.
2.3 Tranzystor polowy
Deklaracja tranzystora:
Jxxxxxxx d g s nazwa_m
Przykład:
J1 2 4 3 Jpol1
JE2 23 12 43 Jpol2
Opis:
Nazwa tranzystora polowego może zawierać do ośmiu liter i musi zaczynać się od
litery „J”. Mnemoniki „d”, „g” oraz „s” są to numery węzłów do których podłączone są
kolejno: dren, bramka i źródło tranzystora. W pole „nazwa_m” wpisujemy nazwę modelu
tranzystora opisanego poniżej opisu struktury obwodu lub modelu opisanego w oddzielnym
pliku.
3. Podobwody (wzmacniacze operacyjne, tyrystory)
Podobwody (.SUBCKT) służą do tworzenia elementów, które nie mają swojego opisu
matematycznego w programie PSpice. Można w ten sposób tworzyć układy scalone,
wzmacniacze operacyjne, tyrystory, oraz inne układy półprzewodnikowe.
W wykonywanych ćwiczeniach powyższe elementy są już stworzone. Należy jedynie
wykorzystać je do budowy obwodu. Włączenie podobwodu do struktury obwodu głównego
wykonuje się za pomocą pseudo-elementu.
3.1 Pseudo-element
Deklaracja pseudo-elementu:
Xxxxxxxx n1 [n2 ... nn ] nazwa_m
Przykład:
X1 2 0 3 7 5 uA741
XE2 23 12 43 tyr1
Opis:
Nazwa pseudo-elementu może zawierać do ośmiu liter i musi zaczynać się od litery „X”.
Mnemoniki „n1”, „n2”, „nn” są to numery węzłów do których podłączone są kolejne wyjścia
układu. W pole „nazwa_m” wpisujemy nazwę podobwodu realizującego dany element.
4. Źródła napięcia i prądu
4.1 Niezależne źródła napięcia i prądu
Deklaracja źródła napięcia i prądu:
Vxxxxxxx n+ n- [DC wartość][AC[ moduł faza]]
Ixxxxxxx n+ n- [DC wartość][AC[ moduł faza]]
Przykład:
V1 2 0 DC 10V
Iz 3 1 AC 10 90
Opis:
Nazwa źródła napięcia (prądu) może zawierać do ośmiu liter i musi zaczynać się od litery
„V” („I”). Mnemoniki „n+” i „n-” są to numery węzłów pomiędzy którymi znajduje się źródło.
W pole „DC wartość” wpisujemy wartość napięcia stałego. Dla analizy zmiennoprądowej (AC)
wpisujemy wartość modułu i fazę początkową napięcia (prądu) (przykład 2)
4.1.1 Tworzenie wymuszeń sinusoidalnych oraz prostokątnych
Opisane poniżej wymuszenia są deklaracją przebiegów czasowych potrzebną do
badania stanów nieustalonych.
Sinusoida
SIN(vs va freq)
vs – wartość składowej stałej [V,A]
va – wartość amplitudy [V,A]
freq – częstotliwość [Hz]
Pulsacja
PULSE(v1 v2 tz tn to d T)
v1 – wartość poziomu niskiego [V,A]
v2 – wartość poziomu wysokiego [V,A]
tz – opóźnienie wyzwolenia [s]
tn – czas narastania [s]
to – czas opadania [s]
d – długość trwania poziomu wysokiego [s]
T – długość trwania okresu [s]
Aby zadeklarować typ przebiegu generowanego przez źródło należy zamiast wartości wpisać
odpowiednio: SIN(......) lub PULSE(......).
Przykład:
Vpuls 1 0 PULSE(0.4 1.2 2ms 4ms 4ms 8ms 24ms)
5. Podstawowe analizy
5.1 Instrukcja analizy stanów nieustalonych
Instrukcja .TRAN służy do obliczania stanów nieustalonych oraz obliczania
przebiegów czasowych w obwodzie.
Składnia:
.TRAN krok stop
Przykłady:
.TRAN 1ns 100ns
Badanie obwodu przeprowadzane jest w przedziale od <0, stop>. Do wyświetlenia wyników tej
analizy służy instrukcja .PROBE.
5.2 Analiza zmiennoprądowa (częstotliwościowa)
Do przeprowadzania analizy zmiennoprądowej służy instrukcja .AC.
Składnia:
.AC [LIN][OCT][DEC] Ip start stop
Przykłady:
.AC LIN 10 10kHz 20kHz
.AC DEC 20 1kHz 100Meg
Aby przeprowadzić analizę zmiennoprądową należy użyć w obwodzie źródeł prądu
zmiennego (AC). Wartość „Ip” oznacza ilość punktów zawierających się pomiędzy wartością
początkową częstotliwości „start”, a wartością końcową częstotliwości „stop”.
LIN – zmiany częstotliwości zachodzą liniowo
DEC – zmiany częstotliwości zachodzą dekadami. (skala logarytmiczna)
Do wyświetlenia wyników tej analizy służy instrukcja .PROBE.
5.3 Wyświetlanie wyników analizy
Składnia:
.PROBE [wielkości mierzone]
Przykłady:
.PROBE V(3) V(Ro) I(5) I(Ro)
Instrukcja .PROBE służy do wyświetlania wyników wszystkich analiz.
[ Pobierz całość w formacie PDF ]