zajecia11 tos, PWR Elektronika W4, Technika Obliczeniowa i Symulacyjna, TOiS Labolatorium (Dobrucki), L11
[ Pobierz całość w formacie PDF ]
//-->Zajęcia 11Technika obliczeniowa i symulacyjnaLTSpiceAnaliza DC i parametrycznaDostępne analizy•••••••••Analiza stałoprądowa – .DCAnaliza dynamiczna liniowa – .ACAnaliza szumów – .NOISEAnaliza dynamiczna nieliniowa – .TRANAnaliza parametryczna – .PARAMAnaliza wrażliwości – .SENSAnalizy statystyczne – .MC, .WCASEAnaliza Fouriera (FFT) – .FOUROptymalizacjaAnaliza stałoprądowa – DC Sweep• Zmienną niezależną może być:– napięcie źródła napięciowego– prąd źródła prądowego– temperatura– parametr modelu elementu (np. beta tranzystora)– parametr globalny (rezystancja, stosunek rezystancji, ...)• Układ elektroniczny opisany jest układem równań nieliniowych orzeczywistych współczynnikach• Układ równań jest rozwiązywany metodą Newtona Raphsona• Wynikiem analizy są stałe prądy i napięcia w obwodzie• Analiza może być zagnieżdżonaAnaliza parametryczna• Analizy DC, AC, TRAN mogą być wykonanewielokrotnie dla różnych wartości wybranegoparametru np. rezystancji, pojemności czy betytranzystora• W wyniku analizy parametrycznej uzyskuje sięrodzinę charakterystyk – po jednejcharakterystyce dla jednej wartości parametru• Na podstawie obserwacji rodziny charakterystykmożna określić optymalną wartość parametruprojektowanego układuStabilizator – analiza DC i punktów pracy
[ Pobierz całość w formacie PDF ]